1.一种电压控制的可调电感，其特征在于，包括：

场效应晶体管和电感线圈，所述场效应晶体管的电极包括源极、漏极和栅极，所述电感线圈由导电芯体和包裹于所述导电芯体表面的绝缘层组成，所述电感线圈包括线圈部分和电极部分；

所述线圈部分设置于所述场效应晶体管内部，所述电极部分的一端与所述线圈部分的一端相连，所述电极部分的另一端经由所述场效应晶体管的电极暴露在所述电压控制的可调电感的外部，形成电感电极；

所述线圈部分的表面至少设置有两个触点，所述触点处的导电芯体未覆盖有所述绝缘层，所述触点处的导电芯体覆盖有第一半导体材料，所述第一半导体材料的类型与所述源极的掺杂区或所述漏极的掺杂区的半导体材料相同，当所述场效应晶体管中存在导电沟道时，所述触点位于所述导电沟道中，并且随着所述导电沟道宽度的变化，位于所述导电沟道中的所述触点的数目发生变化。

2.根据权利要求1所述的电压控制的可调电感，其特征在于，所述线圈部分沿垂直于所述栅极的方向设置。

3.根据权利要求1所述的电压控制的可调电感，其特征在于，所述第一半导体材料与所述源极的掺杂区或所述漏极的掺杂区的半导体材料相同。

4.根据权利要求1所述的电压控制的可调电感，其特征在于，所述线圈部分由超过2匝的线圈组成。

5.根据权利要求4所述的电压控制的可调电感，其特征在于，所述线圈部分的每一匝线圈均设置有所述触点。

6.根据权利要求1所述的电压控制的可调电感，其特征在于，所述电感线圈的导电芯体材料为金、铜、银或其合金。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的电压控制的可调电感，其特征在于，所述场效应晶体管为绝缘栅型场效应晶体管MOSFET。

8.根据权利要求7所述的电压控制的可调电感，其特征在于，所述线圈部分的第一部分设置于所述MOSFET的源极或栅极的掺杂区，所述线圈部分的第二部分设置于所述栅极的掺杂区，所述触点设置于所述第二部分的外侧；

所述电极部分经由所述源极或所述漏极暴露在所述电压控制的可调电感的外部，形成电感电极。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的电压控制的可调电感，其特征在于，所述场效应晶体管为结型场效应晶体管JFET。

10.根据权利要求9所述的电压控制的可调电感，其特征在于，所述线圈部分设置于所述源极的掺杂区或所述漏极的掺杂区；

所述电极部分经由所述栅极暴露在所述电压控制的可调电感的外部，形成电感电极。