1.一种Sb70Se30/SiO2多层纳米复合相变薄膜材料在制备相变存储器中的应用，其包括Sb70Se30薄膜材料和SiO2薄膜材料，二者通过交替叠加形成复合结构，结构通式为[(Sb70Se30)(a)/(SiO2)(b)]n，其中：a表示单层Sb70Se30薄膜材料的厚度，单位为nm，并且1≤a≤10；b表示单层SiO2薄膜的厚度，单位为nm，并且1≤b≤5；n表示单层Sb70Se30薄膜材料和单层SiO2薄膜材料的交替周期数，并且n为任一正整数。

2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述Sb70Se30/SiO2多层纳米复合相变薄膜材料的制备方法为通过磁控溅射法将Sb70Se30薄膜材料和SiO2薄膜材料进行纳米量级复合，形成多层纳米复合相变薄膜材料。

3.根据权利要求2所述的应用，其特征在于：所述磁控溅射法采用的衬底为SiO2/Si(100)基片；溅射靶材为Sb70Se30和SiO2；溅射气体为氩气。

4.根据权利要求3所述的应用，其特征在于：所述溅射靶材为原子百分比纯度达到

99.999％的Sb70Se30和原子百分比纯度达到99.999％的SiO2；所述溅射气体为体积百分比纯度达到99.999％的氩气。

5.根据权利要求3所述的应用，其特征在于：所述磁控溅射法的本底真空度不大于1×

10-4Pa；溅射功率为25～35W；氩气气体流量为25～35sccm；溅射气压为0.15～0.35Pa。

6.根据权利要求5所述的应用，其特征在于：所述磁控溅射法的溅射功率为30W；氩气气体流量为30sccm；溅射气压为0.3Pa。

7.根据权利要求2所述的应用，其特征在于：所述磁控溅射法具体包括如下步骤：

1)清洗并烘干SiO2/Si(100)基片；

2)装好溅射靶材；设定溅射功率、溅射氩气流量及溅射气压；

3)采用射频溅射程序制备Sb70Se30/SiO2多层纳米复合相变薄膜材料。

8.根据权利要求7所述的应用，其特征在于：步骤3)中所述射频溅射程序包括如下步骤：a)将空基托旋转到Sb70Se30靶位，打开Sb70Se30靶上的射频电源，依照设定的溅射时间，开始对Sb70Se30靶材表面进行溅射，清洁Sb70Se30靶材表面；

b)Sb70Se30靶材表面清洁完成后，关闭Sb70Se30靶上的射频电源，将空基托旋转到SiO2靶位，开启SiO2靶上的射频电源，依照设定的溅射时间，开始对SiO2靶材表面进行溅射，清洁SiO2靶材表面；

c)SiO2靶材表面清洁完成后，将待溅射的SiO2/Si(100)基片旋转到Sb70Se30靶位，打开Sb70Se30靶上的射频电源，依照设定的溅射时间，开始溅射Sb70Se30薄膜；

d)Sb70Se30薄膜溅射完成后，关闭Sb70Se30靶上的射频电源，将已经溅射了Sb70Se30薄膜的基片旋转到SiO2靶位，开启SiO2靶上的射频电源，依照设定的溅射时间，开始溅射SiO2薄膜；

e)重复步骤c)和d)中溅射Sb70Se30薄膜和SiO2薄膜的操作，即在SiO2/Si(100)基片上制备出Sb70Se30/SiO2多层纳米复合相变薄膜材料。