1.一种氮掺杂改性的相变薄膜材料，其特征在于：由Zn、Sb、N三种元素组成，其化学组成通式为N（x Zn15Sb85）1-x，其中x=0.4812。

2.一种如权利要求1所述的氮掺杂改性的相变薄膜材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

①基片的准备，将基片洗净烘干待用；

②磁控溅射的准备，在磁控溅射镀膜系统中，将步骤①准备的待溅射的基片放置在基托上，将Zn15Sb85合金靶材安装在磁控射频溅射靶中，并将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空；然后向溅射腔室通入高纯氩气和高纯氮气至溅射腔室内气压达到0.2Pa；

③N（x Zn15Sb85）1-x薄膜的制备，调节向溅射腔室通入的高纯氩气的流量为24 sccm，高纯氮气流量为6sccm，溅射气压为0.2Pa；设定溅射功率20W；首先清洁Zn15Sb85靶材表面，待Zn15Sb85靶材表面清洁完成后，关闭Zn15Sb85靶上所施加的射频电源，将待溅射基片旋转到Zn15Sb85靶位，开启Zn15Sb85靶位射频电源，于室温下溅射20s后得到掺氮改性的相变薄膜材料。

3.根据权利要求2所述的氮掺杂改性的相变薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤①中进行基片清洗烘干操作时，先在超声清洗机中将基片在丙酮中超声清洗3～5分钟，洗毕取出用去离子水冲洗；接着在超声清洗机中将基片在乙醇中超声清洗3～5分钟，洗毕取出用去离子水冲洗，冲洗干净后用高纯N2吹干表面和背面；吹干后的基片送入烘箱中烘干水汽，完成基片的准备。

4.根据权利要求2所述的氮掺杂改性的相变薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤③中清洁Zn15Sb85靶材表面时，将空基托旋转到Zn15Sb85靶位，打开Zn15Sb85靶上所施加的射频电源，开始对Zn15Sb85靶材进行溅射以清洁Zn15Sb85靶材表面，溅射时间为100s。