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专利号: 2016106593688
申请人: 电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-12-17
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.基于Z型超表面的太赫兹反射式极化转换器,包括衬底介质基片(5)和分别设置于衬底介质基片(5)上下两个表面的顶层金属手征结构层(3)、底部金属层(4),其特征在于,所述金属手征结构层设置有周期性正交排列的矩形谐振单元,每个谐振单元上设置有Z型金属谐振结构,所述Z型金属谐振结构由中心线和分别设置于中心线的两端且垂直于中心线的两个侧臂构成,两个侧臂分别设置于中心线的两侧并且与中心线形成电连接,中心线与矩形谐振单元的一个边的夹角为30°。

2.如权利要求1所述的基于Z型超表面的太赫兹反射式极化转换器,其特征在于,所述中心线为矩形,其长边与矩形谐振单元的一个边的夹角为30°,所述侧臂为矩形,侧臂与中心线同在一个平面,第一个侧臂的一条长边与中心线的一个短边共在一条直线,第一个侧臂的一条短边与中心线的一个长边的部分重合,第一个侧臂与第一个侧臂沿矩形中心线的中心形成中心对称。

3.如权利要求1所述的基于Z型超表面的太赫兹反射式极化转换器,其特征在于,所述衬底介质基片材料采用晶向为0001的单晶石英晶体,介电常数为4.41,磁导率为1,损耗正切为0.0004,厚度为百微米量级,矩形谐振单元的边长为百微米量级。