1.一种有机硅膜的制备方法，其特征在于：所述方法的具体步骤如下，(1)将桥架有机硅源前驱体加入到无水乙醇中，然后在搅拌条件下逐滴加入去离子水，最后滴加盐酸，水浴连续搅拌得到有机硅溶胶；

(2)将α- Al2O3 粒子充分分散于二氧化硅-氧化锆溶胶中，然后将所得的混合溶胶涂覆在支撑体上并煅烧，重复此过程3～5次，得到膜的粒子层；所述α-Al2O3粒子尺寸为1μm；

(3)将步骤(2)中所得的涂覆有粒子层的支撑体烘烤后，在其上涂覆二氧化硅-氧化锆溶胶并煅烧，重复本步骤6～10次，得到膜的过渡层；

(4)将步骤(3)中得到的涂覆有过渡层的支撑体烘烤后，在其上涂覆稀释后的步骤(1) 中得到的有机硅溶胶并煅烧，得到所需的有机硅膜。

2.如权利要求1所述的有机硅膜的制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述的桥架有机硅源前驱体是1，2-二(三乙氧基硅基)甲烷、1，2-二(三乙氧基硅基)乙烷、1，2-二(三乙氧基硅基)乙烯中的一种或多种的混合。

3.如权利要求1所述的有机硅膜的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，有机硅源前驱体、去离子水、盐酸中氯化氢的摩尔比为1:60:0.2。

4.如权利要求1所述的有机硅膜的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，采用超声分散的方式将α- Al2O3 粒子充分分散于二氧化硅-氧化锆溶胶中。

5.如权利要求1所述的有机硅膜的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述二氧化硅-氧化锆溶胶的质量分数为2％，二氧化硅-氧化锆溶胶与α- Al2O3 粒子的质量比为10：1。

6.如权利要求1所述的有机硅膜的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述支撑体为α- Al2O3 陶瓷膜片。

7.如权利要求1所述的有机硅膜的制备方法，其特征在于：步骤(2)、(3)中所述的煅烧为，550℃煅烧30min。

8.如权利要求1所述的有机硅膜的制备方法，其特征在于：步骤(3)、(4)中所述的烘烤为，200℃下烘烤10min。

9.如权利要求1所述的有机硅膜的制备方法，其特征在于：步骤(4)中所述的煅烧为， 

100～300℃下煅烧20min。

10.一种如权利要求1至9任一项所述方法制备得到的有机硅膜的应用，其特征在于：将所述有机硅膜用作渗透汽化膜对高含盐废水进行渗透汽化脱盐处理。