1.一种空间任意弯曲光束产生器的结构，其特征在于：所述结构为金属矩形块、二氧化硅、金属、二氧化硅的四层结构，所述四层结构的基底层为二氧化硅，基底层上蒸镀金属膜，金属膜上有两条缝隙，金属膜上面蒸镀二氧化硅膜，二氧化硅膜上表面有非周期金属矩形块，二氧化硅膜的厚度d 为20～100nm，金属矩形块的长度L为 200～400nm，金属矩形块的高度H为40～120nm。

2.根据权利要求1所述的空间任意弯曲光束产生器的结构，其特征在于：所述结构二氧化硅膜的厚度d为60nm ，金属矩形块的长度L为260nm ，金属矩形块的高度H为80nm。

3.根据权利要求1所述的空间任意弯曲光束产生器的结构，其特征在于：所述非周期金属矩形块的位置由关系式决定，其中，为空间任意弯曲目标曲线对应的相位函数，为两缝隙激发的SPPs经过不同级数金属矩形块后的相位函数；两相邻金属矩形块之间的距离满足函数关系，其中n为金属矩形块级数，x为金属矩形块坐标位置。

4.根据权利要求1所述的空间任意弯曲光束产生器的结构，其特征在于：所述结构基底层二氧化硅的厚度m 为1.1 mm，折射率n 为1.45。

5.根据权利要求1所述的空间任意弯曲光束产生器的结构，其特征在于：所述基底上的蒸镀层金属膜的厚度h 为100 nm。

6.根据权利要求1所述的空间任意弯曲光束产生器的结构，其特征在于：所述两条缝隙的缝宽w 为130 nm，两缝隙的间距c 为 100 nm。

7.根据权利要求1所述的空间任意弯曲光束产生器的结构，其特征在于：所述非周期金属矩形块至少有10个，其中第一个金属矩形块的宽b 为130 nm，高H为 

80 nm；后面金属矩形块的宽L为260nm, 高H 为80 nm。

8.根据权利要求1所述的空间任意弯曲光束产生器的结构，其特征在于：所述金属为金或银。

9.根据权利要求1所述的空间任意弯曲光束产生器的结构，其特征在于：所述结构用近场显微镜测量其光场强度分布。

10.一种权利要求1-9中任一种空间任意弯曲光束产生器的结构的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：S1：甩负胶：用甩胶机在清洗过的二氧化硅基底上甩500nm厚PMMA负胶，将甩胶后的基底放在150℃的热板上烘3min，再在PMMA负胶上甩20nm厚的导电胶，得到样品1；

S2：曝光、显影、定影：将步骤S1所述样品1用电子束曝光系统曝光，然后放入去离子水中清洗，洗掉导电胶，再放入显影液、定影液中各浸泡60s，晾干，得到样品2；

S3：垂直蒸镀金属膜：将步骤S2所述样品2放入电子束真空蒸发镀膜机中垂直镀厚度h为100nm的金属膜，得到样品3；

S4：垂直蒸镀二氧化硅膜：在步骤S3所述的样品3上垂直镀厚度d为20～100nm的二氧化硅膜；完成镀膜以后，冷却仪器，充氮后取出，得到样品4；

S5:除胶：将步骤S4所述样品4浸泡在丙酮溶液浸泡3h，去胶剥离，吹干，得到样品5；

S6：甩正胶：用甩胶机在步骤S5所述样品5上再次甩300nm厚PMMA正胶；将甩胶后的样品

5放在150℃的热板上烘3min后，然后在所述 PMMA正胶上甩20nm厚的导电胶，得到样品6；

S7：再次曝光、显影、定影：用电子束曝光系统在步骤S6所述样品6表面套刻图形，曝光完成后放入去离子水中清洗，洗掉导电胶，然后放入显影液、定影液中各浸泡60s，得到样品

7；

S8：再次垂直蒸镀金属膜：将步骤S7所述样品7放入电子束真空蒸发镀膜机垂直镀高度H的金属80nm；完成镀膜以后，冷却仪器，充氮气后取出，得到样品8；

S9：再次除胶：将步骤S8所述样品8在丙酮溶液浸泡3h，去胶剥离，吹干，即得到空间任意弯曲光束产生器的结构。