1.一种压控振荡器调谐电路中的可变电容电路，其特征在于：该可变电容电路由积累型AMOS晶体管与PMOS晶体管并联构成，连接于压控振荡器电压输出端VB和调谐电压控制端VC之间，PMOS晶体管的源极和漏极接地，PMOS晶体管的衬底连接调谐电压控制端VC，PMOS晶体管的栅极连接压控振荡器电压输出端VB，使PMOS晶体管工作于积累区和耗尽区；AMOS晶体管的栅极连接压控振荡器电压输出端VB，AMOS晶体管的源极、漏极以及衬底共同与调谐电压控制端VC连接；可变电容值由PMOS晶体管的栅极-衬底电容与积累型AMOS晶体管的栅极-衬底电容合成，通过调谐电压控制可变电容的大小，以改变振荡频率。

2.根据权利要求1所述的压控振荡器调谐电路中的可变电容电路，其特征在于：采用两个积累型AMOS晶体管与两个PMOS晶体管分别并联，再将该两个并联结构串联，构成差分型可变电容电路，压控振荡器电压输出端VB+连接一对积累型AMOS晶体管的栅极和PMOS晶体管的栅极，压控振荡器电压输出端VB-连接另一对积累型AMOS晶体管的栅极和PMOS晶体管的栅极，调谐电压控制端VC施加于两对PMOS晶体管的衬底和积累型AMOS晶体管的衬底。