1.一种低真空度下制备SiC薄膜的方法，利用SiC薄膜制备装置进行薄膜的制备，SiC薄膜制备装置包括CVD反应炉（1）和前驱体炉（2），CVD反应炉（1）内部设置有用于加热氮化硼基板的加热台（3），CVD反应炉（1）的侧壁开设有两个石英窗（4），CVD反应炉（1）外部对应两个石英窗（4）位置分别设置有激光发射器（5）和高温计（6）， CVD反应炉（1）顶部设置有进气口，CVD反应炉（1）底部连接有真空泵（7），CVD反应炉（1）的进气口通过喷嘴和管路分别连接至氩气源（8）和前驱体炉（2），且与氩气源（8）连接的管路上设置有控制阀Ⅰ（9），与前驱体炉（2）连接的管路上设置有控制阀Ⅱ（10），激光发射器（5）为可输出波长为808纳米激光的二极管激光器，其特征在于：包括以下步骤：(1)、SiC膜制备前清洗准备工作

取氮化硼基片清洗后，备用；

(2)、SiC膜制备前设备调整工作

a、将清洗好的氮化硼基片放入CVD反应炉中的加热台上，调整氮化硼基片的位置，使激光照射在需要生长SiC薄膜的区域上；

b、打开CVD反应炉的抽真空泵，进行抽真空，然后打开控制阀Ⅱ，将CVD反应炉内抽真空到20Pa，关闭前驱体控制阀Ⅱ，再打开控制阀Ⅰ，通入氩气并调节真空泵抽真空的强度，将真空度抽到600Pa，设置升温程序，加热氮化硼基片并使其温度上升到600-800℃，加热前驱体炉腔体使其温度上升到140-180℃；

c、将前驱体HPCS液体放入前驱体炉腔体内，缓慢开启控制阀Ⅱ，并关闭真空泵，观察 CVD反应炉内腔体的真空度，待CVD反应炉内腔体的压力升至4-6KPa，此时缓慢打开真空泵，使CVD反应炉内腔体的压力趋于稳定，然后缓慢调节控制阀Ⅱ和真空泵使CVD反应炉内腔体得压力至6-8KPa；

(3)、SiC膜制备及制备后的调整

a．开启激光发射器，使激光照射在基板表面，调节激光功率90-140W，沉积时间为300- 

600s；

b．停止激光照射，关闭控制阀Ⅱ，将CVD反应炉内腔体抽真空到10Pa，使基板冷却至室温，得到SiC薄膜。

2.如权利要求1所述的在低真空度下制备SiC薄膜的方法，其特征在于：所述步骤（1）中氮化硼基片清洗的具体方法为：a．将氮化硼基片放入丙酮中超声清洗10分钟，去除基片表面油污；

b．然后用酒精超声清洗2分钟洗去丙酮，再用去离子水冲洗干净；

c．然后在体积比NH3∙H2O:H2O2:H2O=1:1:5的清洗液中在温度80℃下超声清洗10分钟，再在体积比HF:H2O=1:50混合液中超声清洗2分钟，最后用去离子水冲洗干净。