1.一种VS2纳米材料的制备方法，其特征在于，将摩尔比为1:8～1:12的钒源和硫源物质分别置于两个瓷舟中，并将两个瓷舟置于管式气氛炉中进行煅烧，冷却后洗涤干净、收集、干燥即可；所述煅烧是在密封且在惰性气体内进行。

2.根据权利要求1所述的一种VS2纳米材料的制备方法，其特征在于，煅烧前，排尽管内的空气，控制管内的气压为-1～0MPa。

3.根据权利要求1所述的一种VS2纳米材料的制备方法，其特征在于，煅烧过程的条件为：以5～10℃/min的升温速率升温至300～1000℃，然后保温0.5～5h。

4.根据权利要求3所述的一种VS2纳米材料的制备方法，其特征在于，煅烧保温阶段控制管内气压为0～0.05MPa。

5.根据权利要求2所述的一种VS2纳米材料的制备方法，其特征在于，排尽管内空气的方法为：向管内通入惰性气体，继而进行2～5次抽气-补气，最后一次抽气后不再补气。

6.根据权利要求3所述的一种VS2纳米材料的制备方法，其特征在于，所述保温阶段结束后，立刻以500～1000sccm气流不断地通惰性气体，以排出保温期间产生的硫蒸汽并使冷却过程在持续通惰性气体的条件下进行。

7.根据权利要求1所述的一种VS2纳米材料的制备方法，其特征在于，所述洗涤方式为抽滤洗涤或离心洗涤；所述收集方式为抽滤收集或离心收集；所述洗涤是依次用去离子水和无水乙醇进行洗涤。

8.根据权利要求1所述的一种VS2纳米材料的制备方法，其特征在于，所述干燥的温度为

60～80℃，时间为6～24h。

9.根据权利要求1-8所述的任意一种VS2纳米材料的制备方法，其特征在于，所述钒源为偏钒酸钠、钒酸钠和钒酸钾中的一种或几种；所述硫源为硫代乙酰胺、硫脲、升华硫和硫化铵中的一种或几种。

10.一种根据权利要求1所述的方法制备的VS2纳米材料的应用，其特征在于，该VS2纳米材料应用于电子、磁学、传感器、催化以及锂/钠离子电池领域。