1.一种低成本精密芯片模具光刻掩膜的制备方法，其特征在于，所述方法具体包括如下步骤：S1：在基板上涂覆第一层光刻胶，在所述光刻胶上覆盖一层金属箔片，在所述金属箔片上涂覆第二层光刻胶；

S2：对第一、二层光刻胶进行前烘处理，借助掩膜板对第二层光刻胶进行曝光和显影；

对第二层光刻胶进行后烘处理；

S3：对所述金属箔片进行蚀刻，然后对第一层光刻胶进行曝光和显影，再对第一层光刻胶进行后烘处理即得精密芯片模具光刻掩膜。

2.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述光刻胶为正性胶。

3.根据权利要求2所述制备方法，其特征在于，所述光刻胶为市售的PR-2000SA系列正性光刻胶。

4.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述前烘处理包括：将涂覆光刻胶的基板放置在70～80℃的水平热盘上软烘10～15min,然后室温下自然凝固10小时以上。

5.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述曝光和显影包括：对前烘处理后的光刻胶进行曝光，对曝光后的光刻胶进行显影。

6.根据权利要求5所述制备方法，其特征在于，所述曝光包括：将带有微通道图案的掩膜板紧贴在光刻胶上后，在紫外光下曝光。

7.根据权利要求5所述制备方法，其特征在于，所述显影包括：将曝光后的涂覆有光刻胶的基板放入碳酸钠、碳酸氢钠或氢氧化钠溶液中进行显影。

8.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述后烘处理为于150℃～155℃烘烤8～10分钟。

9.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述金属箔片蚀刻处理为等离子干法蚀刻或化学蚀刻。

10.权利要求1～9任一所述制备方法制备得到的低成本精密芯片模具光刻掩膜。