1.基于半模基片集成波导的紧凑型六端口电路，其特征在于，包括介质基板、上层金属层、下层金属层、第一至第八金属通孔列，其中，上层金属层设置在介质基板的上表面，下层金属层设置在介质基板的下表面；

上层金属层上设置有第一至第四匹配结构、第一至第六微带线、第一至第六过渡结构、第一和第二金属条带对；

第一、第二金属通孔列平行，且与上层金属层、下层金属层构成第一SIW；第三、第四金属通孔列在一条直线上且均垂直于第一金属通孔列，第三金属通孔列与上层金属层、下层金属层构成第一HMMSIW，第四金属通孔列与上层金属层、下层金属层构成第二HMSIW；第一SIW通过第一、第二匹配结构分别与第一HMMSIW、第二HMSIW相连；第一SIW、第一HMMSIW、第二HMSIW、第一和第二匹配结构构成第一功率分配器；

第五、第六金属通孔列平行，且与上层金属层、下层金属层构成第二SIW；第七、第八金属通孔列在一条直线上且均垂直于第五金属通孔列，第七金属通孔列与上层金属层、下层金属层构成第三HMMSIW，第八金属通孔列与上层金属层、下层金属层构成第四HMSIW；第二SIW通过第三、第四匹配结构分别与第三HMMSIW、第四HMSIW相连；第二SIW、第三HMMSIW、第四HMSIW、第三和第四匹配结构构成第二功率分配器；

第一HMSIW和第三HMSIW的磁壁之间通过第一金属条带对连接，以实现磁壁间的耦合，形成定向耦合器；第二HMSIW和第四HMSIW的磁壁之间通过第二金属条带对连接，以实现磁壁间的耦合，形成定向耦合器；

第一微带线与第一SIW之间通过第一过渡结构连接，作为第一输入端口；第二微带线与第一HMSIW之间通过第二过渡结构连接，作为第一输出端口；第三微带线与第二HMSIW之间通过第三过渡结构连接，作为第二输出端口；第四微带线与第二SIW之间通过第四过渡结构连接，作为第二输入端口；第五微带线与第三HMSIW之间通过第五过渡结构连接，作为第三输出端口；第六微带线与第四HMSIW之间通过第六过渡结构连接，作为第四输出端口；

第一HMSIW的长度比第三HMSIW的长度短八分之一导波波长，形成45°相位变换器；第二HMSIW的长度比第四HMSIW的长度长八分之一导波波长，形成-45°相位变换器。

2.根据权利要求1所述的基于半模基片集成波导的紧凑型六端口电路，其特征在于，第一过渡结构与第一SIW的连接处、第四过渡结构与第二SIW的连接处还分别设置有一对感性金属化通孔，以实现阻抗匹配；每对感性金属化通孔分别设置在过渡结构的两侧。

3.根据权利要求1所述的基于半模基片集成波导的紧凑型六端口电路，其特征在于，第一至第四匹配结构的边缘均为折线形，以调节功率分配器T型结处的匹配。

4.根据权利要求1所述的基于半模基片集成波导的紧凑型六端口电路，其特征在于，定向耦合器部分，采用金属条带对连接主、副HMSIW传输线的等效磁壁，实现定向耦合结构。

5.根据权利要求1所述的基于半模基片集成波导的紧凑型六端口电路，其特征在于，第一至第六过渡结构均为锥形过渡结构。

6.根据权利要求1所述的基于半模基片集成波导的紧凑型六端口电路，其特征在于，第一至第六微带线的特性阻抗为50Ω。