1.一种测量瞬态温度的方法，其特征在于，包括一瞬态温度传感器，所述瞬态温度传感器包括二维石墨烯和基底，所述二维石墨烯复合在基底的上表面，二维石墨烯的两端设置有导线，导线通过银胶与二维石墨烯连接；基底包括二氧化硅薄膜和硅基底，所述二氧化硅薄膜沉积在硅基底的上表面；

利用平衡电桥标定瞬态温度传感器的温阻特性，将电阻R1和电阻R3接入恒定电阻且R1＝R3，将电阻R2接入可变电阻箱，将二维石墨烯样品放置在磁力搅拌器上进行加热，所述二维石墨烯样品的阻值为Rg，共读取16个样本点，使样本温度从300K上升到593K，每隔20K取一次样，在每一个所选取的样本点的温度上，使样本的温度保持恒定5min，调节电阻R2的阻值，使检流计G的读数为零，读取电阻R3的阻值，即为二维石墨烯样品的阻值，得到二维石墨烯样品的温阻特性表达式：R(T)-10.846＝-0.00659T；

定义 其中ΔT＝T-T0，R为T＝300K时二维石墨烯样品的初始电阻，则得到二维石墨烯样品电阻变化率随温度变化的特性，并计算出实验所用的二维石墨烯温度传感元件的系数β≈7.44×10-4，从而能够通过传感器的阻值推算出传感器所对应的实际温度；

由于石墨烯电阻变化是一个动态的过程，为了测量石墨烯电阻的变化量，所以采用分压电路作为测试电路，其中R0为固定阻值的电阻，与二维石墨烯串联在电路中，且R0＞＞Rg，电压源为1～12V连续可调的直流电源，二维石墨烯两端的电压值使用存储示波器来获取，其中R和U分别为T＝300K时二维石墨烯的初始电阻和两端的初始电压，由定义 得到波谷位置对应的ΔT的值：

将β＝7.44×10-4和ΔU/U代入上式，得到ΔT的值，最终得到二氧化硅表面的峰值温度T；

在实际测量瞬态温度时，将一个标准电阻和一个瞬态温度传感器串联在直流稳压电源两端，且标准电阻的阻值远大于所述瞬态温度传感器的阻值，从而用示波器获取瞬态温度传感器两端的电压，由此得出对应的实际温度。

2.根据权利要求1所述的测量瞬态温度的方法，其特征在于，所述瞬态温度传感器的长度为5～8cm，宽度为2～5cm。

3.根据权利要求1所述的测量瞬态温度的方法，其特征在于，所述二维石墨烯的长度为

3～5cm，宽度为1～2cm。