1.一种降低六方氮化硼二维薄膜厚度的方法，其特征在于，该方法具体步骤是：步骤(1)、将铜片用浓度为0.5～1.5mol/L的盐酸浸洗5～10秒，去离子水清洗后用氮气吹干，放入电炉的石英管中；

步骤(2)、石英管中持续通入氩气和氢气的混合气，氩气与氢气的流量比为1～3:2,将电炉温度升至900～1000℃后保温5～30分钟；

步骤(3)、同时向石英管内通入硼氨烷蒸气，20～30分钟后关闭通入硼氨烷蒸气；

步骤(4)、电炉停止加热，将石英管冷却到常温，冷却速率为20～30℃/min，然后关闭通入氢气和氩气，取出铜片；

步骤(5).将铜片取出，在铜片上表面旋涂PMMA溶液，PMMA溶液在空气中干燥5～30分钟形成PMMA薄膜黏附在铜片表面，然后浸入氯化铁溶液中溶解去除铜片，之后将漂浮在氯化铁溶液表面的PMMA薄膜转移至硅基底表面，接着将硅基底浸入丙酮中，经过30～180分钟，获得转移至硅片表面的氮化硼二维薄膜材料，薄膜的厚度在2～30nm之间；

步骤(6).将步骤(5)转移至硅片表面的氮化硼薄膜，放入退火炉中，在一定气氛中于

500～1000℃热处理10～360分钟，获得厚度减薄后的氮化硼薄膜，为原子层薄膜，薄膜厚度在0.5～5nm之间。

2.如权利要求1所述的一种降低六方氮化硼二维薄膜厚度的方法，其特征在于：所述的一定气氛，是指氢气、氩气、氮气、氧气或空气。

3.如权利要求1所述的一种降低六方氮化硼二维薄膜厚度的方法，其特征在于：所述的原子层薄膜厚度在单原子层至15个原子层厚度之间。

4.如权利要求1所述的一种降低六方氮化硼二维薄膜厚度的方法，其特征在于：硼氨烷蒸气通过水浴加热硼氨烷产生，水浴温度40～100℃。