1.一种阻抗谱法确定有机半导体厚度依赖的迁移率方法，其特征是该方法在小信号扰动下，基于空间电荷限制电流理论SCLC，建立理论模型；

步骤1.制备测量迁移率的多个厚度在50nm-800nm中的单载流子器件，结构为：阳极/有机层/阴极；测量空穴迁移率时要求阳极与有机层界面为欧姆接触、有机层与阴极界面阻挡电子，测量电子迁移率时要求阳极与有机层界面阻挡空穴、有机层与阴极为欧姆接触；

步骤2.对器件施加小交流电压信号，振幅为25mv，频率范围为20～106Hz，并加载在1～

10V正向直流偏压，测量器件的阻抗虚部ImZ和实部ReZ；

步骤3.采用粒子群算法拟合阻抗的虚部ImZ和实部ReZ，得出载流子迁移时间τdc，进而根据公式μdc＝d2/(τdcV)计算出不同厚度下载流子迁移率μdc，做出厚度与迁移率的关系图，其中d为待测有机层厚度，V为加载在有机层上的电压，步骤4.晶体衍射实验XRD排除薄膜表面形貌与结晶对迁移率的影响，

步骤5.根据Poole-Frenkel方程，扩大电场范围，得到更多种厚度下的迁移率，并在500(V/cm)1/2电场，200nm厚度下有个交点，在界面厚度为1-10nm，在500(V/cm)1/2电场，分别做出几种厚度下的界面厚度比例与迁移率的关系；

所述在小信号扰动下，基于空间电荷限制电流理论SCLC，建立理论模型，是建立单载流子注入、无陷阱时的理论模型：其中，Ω＝2πfτdc＝ωτdc， Ω为标准化频率， 为标

准化迁移率；τdc、μdc分别为只有直流偏压时的空穴迁移时间和空穴迁移率，Z为器件阻抗；A为器件的有效面积，d为有机层厚度，ε为待测有机半导体的介电常数，i为虚数单位,色散参数M、α。