1.一种场发射阴极，包括导电基板，其特征在于：还包形成于所述导电基板表面的石墨烯层和形成于所述石墨烯层外表面的二硫化钼和/或二硫化钨纳米片层。

2.根据权利要求1所述的场发射阴极，其特征在于：所述二硫化钼和/或二硫化钨纳米片层的厚度为1-10μm。

3.根据权利要求1或2所述的场发射阴极，其特征在于：所述二硫化钼和/或二硫化钨纳米片层中的二硫化钼和/或二硫化钨纳米片材料的厚度为1-10nm，横向尺寸为1-10μm。

4.根据权利要求1或2所述的场发射阴极，其特征在于：所述石墨烯层的厚度为1-10nm。

5.一种场发射阴极的制备方法，包括如下步骤：

在导电基板表面生长石墨烯层；

将二硫化钼和/或二硫化钨纳米片和电荷添加剂分散于有机溶剂中，形成电泳溶液，将所述导电基板作为负极，在外加电场的作用下，使得二硫化钼和/或二硫化钨纳米片电泳沉积在所述导电基板表面形成二硫化钼和/或二硫化钨纳米片层。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述电泳沉积的电压为80-200V，电泳时间为1-10min，所述阴极与阳极的间距为0.5-5cm。

7.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于：所述电荷添加剂的添加量是二硫化钼和/或二硫化钨纳米片总重量的20％-50％；和/或所述二硫化钼和/或二硫化钨纳米片材料的厚度为1-10nm，横向尺寸为1-10μm；和/或所述电荷添加剂为Mg(NO3)2、MgCl2、MgSO4、Al(NO3)3、AlCl3、NiCl2、Ni(NO3)2中的至少一种的可溶性金属无机盐。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：生长石墨烯层的方法如下：将涂覆催化剂金属的导电基板置于惰性保护气氛的密闭环境中，将所述导电基板及所述密闭环境的温度升温至900-1000℃后，向所述密闭环境中通入有机碳氢化合物气体和氢气的混合气体，使得有机碳氢化合物气体在所述催化剂金属的催化下发生裂解反应并于所述导电基板表面生长石墨烯。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：所述氢气与所述有机碳氢化合物气体流量比为5-10，所述裂解反应气压为10–50torr，所述石墨烯生长时间为5-30min；和/或所述有机碳氢化合物为甲烷、乙烯、乙炔中的至少一种；和/或所述催化剂金属为是Ni、Co、Fe中的至少一种。

10.根据权利要求1-4任一所述的场发射阴极或者由权利要求5-9任一所述的场发射阴极在场发射显示器件、X射线管、太赫兹器件中的应用。