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专利号: 2015107968662
申请人: 深圳先进技术研究院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2024-12-09
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种对数域差分低通滤波器,其特征在于,包括:两个结构相同的对数压缩单元,每个所述对数压缩单元的输入端与差分输入电流中的一路相接,所述对数压缩单元对所输入的电流进行对数压缩转换得到压缩后的电压信号,并将压缩后的电压信号输入至低通滤波单元中;

所述低通滤波单元的输入端分别与两个对数压缩单元的输出端相连接,其将两路压缩后的电压信号进行滤波和处理后,得到输出电压信号,并将该输出电压信号输出至指数扩展单元中;

所述指数扩展单元的结构与所述对数压缩单元的结构镜像对称,其对输出电压信号进行扩展转换得到输出的电流信息并进行输出。

2.根据权利要求1所述的对数域差分低通滤波器,其特征在于,所述对数压缩单元、低通滤波单元、指数扩展单元中均设有个MOS管,且每个MOS管均工作在亚阈值区。

3.根据权利要求2所述的对数域差分低通滤波器,其特征在于,所述对数压缩单元、低通滤波单元、指数扩展单元中分别接有第一、第二、第三偏置电流源。

4.根据权利要求3所述的对数域差分低通滤波器,其特征在于,所述对数压缩单元中的MOS管均为PMOS管,其分别为第一、第二、第三PMOS管;所述第二PMOS管的栅极连接参考电压输入端,第二PMOS管的源极分别与第三PMOS的源极、第一PMOS的漏极相连接,第二PMOS管的漏极与第一偏置电流源、第一PMOS的栅极以及电流输入端连接;第三PMOS管的栅极与漏极相短接,同时第三PMOS管的栅极作为电流压缩为电压后的输出端;第一PMOS管的源极接第一偏置电流源,且三个PMOS管的衬底与源极均短接。

5.根据权利要求3所述的对数域差分低通滤波器,其特征在于,所述对数压缩单元中的MOS管均为NMOS管,其分别为第三、第四、第五NMOS管;所述第四NMOS管的栅极连接参考电压输入端,第四NMOS管的源极与第五NMOS管的源极、第三NMOS管的漏极相连接,第四NMOS管的漏极与第一偏置电流源、第三NMOS管的栅极以及电流输入端连接;第五NMOS管的栅极与漏极相短接,同时第五NMOS管的栅极作为电流压缩为电压后的输出端;第三NMOS管的源极接地。