1.一种混合异构NAND固态硬盘，其特征在于，包括：

存储逻辑控制器；

若干NAND存储器芯片组，所述若干NAND存储器芯片组分为N个级别，且第M级NAND存储器芯片组的数据存储访问速度大于第M+1级NAND存储器芯片组的数据存储访问速度，第M级NAND存储器芯片组的数据保持能力和耐写寿命优于第M+1级NAND存储器芯片组的数据保持能力和耐写寿命；

地址存储单元，设置于所述若干NAND存储器芯片组中的第一级NAND存储器芯片组中，且与所述存储逻辑控制器连接；

其中，所述地址存储单元中存储有所述若干NAND存储器芯片组中每个所述NAND存储器芯片组所对应的逻辑地址到物理地址的映射表，N、M均为正整数，且0＜M＜N。

2.如权利要求1所述的混合异构NAND固态硬盘，其特征在于，

所述存储逻辑控制器用于对所述第一级NAND存储器芯片组中所存储的逻辑地址到物理地址的映射表进行读操作、更新操作或重建操作。

3.如权利要求2所述的混合异构NAND固态硬盘，其特征在于，所述混合异构NAND固态硬盘还集成有缓存器，所述存储逻辑控制器通过所述缓存器对所述第一级NAND存储器芯片组中所存储的逻辑地址到物理地址的映射表进行所述重建操作。

4.如权利要求3所述的混合异构NAND固态硬盘，其特征在于，所述重建操作步骤包括：所述混合异构NAND固态硬盘上电后由所述存储逻辑控制器启动固件程序；

所述存储逻辑控制器从所述第一级NAND存储器芯片组读取所述逻辑地址到物理地址的映射表信息至所述缓存器中，完成所述重建操作。

5.如权利要求1所述的混合异构NAND固态硬盘，其特征在于，所述地址存储单元所在的第一级NAND存储器芯片组与所述存储逻辑控制器集成到SoC系统级控制芯片上。

6.如权利要求5所述的混合异构NAND固态硬盘，其特征在于，所述地址存储单元所在的第一级NAND存储器芯片组中每个存储单元结构均采用Gate Last二维NAND金属栅工艺。

7.如权利要求5所述的混合异构NAND固态硬盘，其特征在于，所述地址存储单元所在的第一级NAND存储器芯片组与所述存储逻辑控制器通过Gate Last二维NAND金属栅工艺集成于所述SoC系统级控制芯片上。

8.如权利要求1所述的混合异构NAND固态硬盘，其特征在于，所述若干NAND存储器芯片组中的第一级NAND存储器芯片组为一个单层单元NAND芯片组，第K级NAND存储器芯片组为每单元Lbit多层单元NAND芯片组，第N级NAND存储器芯片组为3D堆叠NAND芯片组；

其中，K、L均为正整数，且1＜K＜N，1

9.如权利要求1所述的混合异构NAND固态硬盘，其特征在于，

所述地址存储单元中存储有所述混合异构NAND固态硬盘的固件程序、闪存转换层算法、垃圾回收算法和均衡损耗算法。