1.一种大面积水平耗尽型中子探测器，其特征在于，所述中子探测器包括：基底；

吸收层，位于基底上，吸收层由CuInSe2形成；

CdS层，位于吸收层上并且与吸收层形成异质结，CdS层包括暴露吸收层的至少一部分的第一接触孔；

ZnO层，位于CdS层上，并且包括与第一接触孔对应且暴露CdS层的至少一部分的第二接触孔；

第一电极，与ZnO层接触；

第二电极，通过第一接触孔和第二接触孔与吸收层接触，并且与第一电极隔开预定距离。

2.根据权利要求1所述的大面积水平耗尽型中子探测器，其特征在于，所述吸收层的厚度为5μm-10μm，所述CdS层的厚度为50nm-100nm，所述ZnO层的厚度为50nm-100nm。

3.根据权利要求1所述的大面积水平耗尽型中子探测器，其特征在于，所述第一电极和第二电极之间的预定距离为20μm-40μm。

4.根据权利要求1或3所述的大面积水平耗尽型中子探测器，其特征在于，所述中子探测器中包括的第一电极和第二电极的个数分别为多个，并且第一电极和第二电极交替布置。

5.根据权利要求1所述的大面积水平耗尽型中子探测器，其特征在于，所述基底为钠钙玻璃基底。

6.一种大面积水平耗尽型中子探测器的制备方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：通过共蒸镀或者溅射-硒化在基底上形成吸收层，其中，吸收层由CuInSe2制成；

在吸收层上形成CdS层；

在CdS层上形成ZnO层；

在ZnO层的一部分上形成第一电极；

形成第二电极，第二电极与第一电极之间隔开预定距离，其中，吸收层与CdS层形成异质结；

形成第二电极的步骤包括：

在ZnO层中形成暴露CdS层的至少一部分的第二接触孔；

在CdS层的第二接触孔暴露的部分中形成暴露吸收层的至少一部分的第一接触孔；

在吸收层的第一接触孔和第二接触孔暴露的部分上形成第二电极。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，形成第一电极的步骤包括：在ZnO层上涂覆光刻胶；

对光刻胶进行曝光和显影，以暴露ZnO层的一部分；

在ZnO层的暴露的部分上形成第一电极。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述吸收层的厚度为5μm-10μm，所述CdS层的厚度为50nm-100nm，所述ZnO层的厚度为50nm-100nm。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一电极和第二电极之间的预定距离为20μm-40μm。

10.根据权利要求6或9所述的方法，其特征在于，所述中子探测器中包括的第一电极和第二电极的个数分别为多个，并且第一电极和第二电极交替布置。