1.一种实现局部互连的结构，其特征在于，包括：衬底，具有浅沟槽隔离结构和有源区；

隔离层，位于所述浅沟槽隔离结构的上表面，且不与所述有源区形成接触；

控制栅，位于所述隔离层的上表面，且通过所述隔离层与所述浅沟槽隔离结构相互隔离；

连接线，与所述控制栅电连接以将所述控制栅引出，进而实现局部互连。

2.如权利要求1所述的实现局部互连的结构，其特征在于，所述连接线嵌入设置于所述控制栅上部或位于所述控制栅的两侧。

3.如权利要求1所述的实现局部互连的结构，其特征在于，所述结构还包括：互连层，与所述连接线电连接以将所述控制栅引出，进而实现局部互连。

4.如权利要求3所述的实现局部互连的结构，其特征在于，所述互连层为金属或多晶硅栅。

5.如权利要求1所述的实现局部互连的结构，其特征在于，所述隔离层为硅的氧化物-硅的氮化物-硅的氧化物构成的三明治结构。

6.一种实现局部互连的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一具有浅沟槽隔离结构和有源区的衬底；

于所述浅沟槽隔离结构的上方形成隔离层后，制备一控制栅覆盖所述隔离层的上表面；

继续形成与所述控制栅电连接的连接线，通过所述连接线将所述控制栅引出以实现局部互连。

7.如权利要求6所述的实现局部互连的方法，其特征在于，形成与所述控制栅电连接的连接线，具体为：采用CMOS接触孔工艺，部分刻蚀所述控制栅形成接触孔；

于所述接触孔中填充导电材料形成所述连接线。

8.如权利要求6所述的实现局部互连的方法，其特征在于，形成与所述控制栅电连接的连接线，具体为：采用CMOS接触孔工艺，于所述控制栅两侧分别形成所述连接线。

9.如权利要求6所述的实现局部互连的方法，其特征在于，所述方法还包括：形成与所述控制栅电连接的所述连接线后，继续形成与所述连接线电连接的互连层。

10.如权利要求6所述的实现局部互连的方法，其特征在于，所述隔离层为硅的氧化物-硅的氮化物-硅的氧化物构成的三明治结构。