1.一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料，其特征在于：化学组成通式为（Ge10Sb90）xN1-x，其中x=0.50～0.90。

2.根据权利要求1所述的用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料，其特征在于：x=0.55～0.80。

3.一种如权利要求1所述的用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：①基片的准备，将基片洗净烘干待用；

②磁控溅射的准备，在磁控溅射镀膜系统中，将步骤①洗净的待溅射的基片放置在基托上，将Ge10Sb90合金靶材安装在磁控射频溅射靶中，并将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空；

③（Ge10Sb90）xN1-x纳米薄膜材料的制备，向溅射腔室通入高纯氩气和高纯氮气作为溅射气体，高纯氩气和高纯氮气的总流量为30sccm，溅射气压为0.15Pa～0.35Pa；首先清洁Ge10Sb90靶材表面，待Ge10Sb90靶材表面清洁完毕后，关闭Ge10Sb90靶上所施加的射频电源，将待溅射的SiO2/Si（100）基片旋转到Ge10Sb90靶位，然后开启Ge10Sb90靶位射频电源，开始溅射得到（Ge10Sb90）xN1-x纳米薄膜材料。

4.根据权利要求3所述的用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤②将靶材安装在磁控射频溅射靶中后，将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进-4 行抽真空直至腔室内真空度达到1×10 Pa。

5.根据权利要求4所述的用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤③中高纯氮气的流量为1sccm～9sccm。