1.一种以石墨烯作为导电材料的铜铟硒纳米晶硅薄膜太阳电池的制备方法，其特征在于，将p型重掺杂石墨烯衬底采用超声波化学清洗，放入超高真空双离子束溅射仪中备用，采用不同面积的三个高纯铜/铟/硒靶材复合成为溅射靶在衬底上沉积p型铜铟硒薄膜，沉积时的本底真空为2.0×10-4-6.0×10-4Pa ，工作真空为4.0×10-4-4.0 ×10-2Pa，衬底温度

200℃-300℃，沉积时间50-90分钟，厚度为1-2μm；然后将衬底温度控制在100℃-160℃，在p型铜铟硒薄膜上蒸镀纯度为80％-98％含有氯化镉杂质的硫化镉粉末，蒸镀时间控制在10-

20分钟，厚度为50-200nm；接着将样品加热到200℃-450℃，在常压氩气和氢气气氛中通入甲烷，在n型硫化镉薄膜上，通过化学气相沉积法沉积厚度为10nm-30nm的多原子层本征石墨烯过渡层；下一步控制样品温度在200℃-300℃，在本底真空小于等于1×10-3Pa的条件下，分别以混有1％-5％体积分数硼烷和混有1％-5％体积分数磷烷的高氢稀释硅烷作为载气，采用等离子增强化学气相沉积法在本征石墨烯过渡层表面依次制备p型与n型纳米晶硅薄膜，厚度均不超过100nm；接下来将样品加热到550℃-600℃，通过化学气相沉积法在氩气和氢气气氛中通入甲烷制备厚度为10nm-30nm的多原子层石墨烯，并采用氨气分子吸附，获得n型重掺杂石墨烯薄膜；最后分别在n型重掺杂石墨烯薄膜表面以及p型重掺杂石墨烯衬底表面通过蒸发法制备10nm-20nm金属钛以及30nm-50nm金属金作为电极，便获得了以石墨烯作为导电材料的铜铟硒纳米晶硅薄膜太阳电池。