1.一种大尺寸晶圆，其特征在于，包括：

一初始晶圆衬底，所述初始晶圆衬底的上表面存在多个键合嵌片，且该多个键合嵌片之间存在间隙；

覆盖所述初始晶圆衬底上表面和所述键合嵌片上表面以及所述键合嵌片间隙的化合物薄膜；

其中，采用对称/非对称键合工艺将所述多个键合嵌片设置于所述初始晶圆衬底的上表面；

所述对称/非对称键合工艺为根据工艺要求设计将所述多个键合嵌片设置在所述初始晶圆衬底表面形成的完整图形的工艺；所述键合包括疏水键合、亲水键合或等离子辅助键合；

所述初始晶圆衬底为单晶硅或多晶硅；

所述键合嵌片为单晶锭材料的GaN或SiC；

所述化合物薄膜为氧化物薄膜或者氮化物薄膜；

所述键合嵌片为长宽相同的方形晶片，且每个所述键合嵌片的长宽均为1.4英寸，高度大于长宽；

所述初始晶圆衬底直径为150～300mm，厚度为0.1～1mm。

2.一种大尺寸晶圆的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一初始衬底晶圆和单晶锭材料；

对所述单晶锭材料进行微机械修整，形成单晶锭柱体，再对所述单晶锭柱体进行第一次离子注入，起泡剥离后形成键合嵌片；

对所述键合嵌片进行第二次离子注入，将多个第二次离子注入后的键合嵌片与所述初始衬底晶圆进行对称/非对称键合，得到组合晶圆；

对所述组合晶圆进行退火，起泡剥离所述键合嵌片的一部分；

对所述组合晶圆表面及所述键合嵌片间隙淀积化合物薄膜，并进行化学机械抛光，停止于所述键合嵌片表面，得到大尺寸晶圆其中，所述初始衬底晶圆为单晶硅或多晶硅衬底晶圆；所述键合包括疏水键合、亲水键合或等离子辅助键合；所述化合物薄膜为氧化物薄膜或者氮化物薄膜；所述单晶锭材料为GaN或者SiC；

所述第一次离子注入和所述第二次离子注入中，注入的离子为氢离子和/或氦离子，注入的能量为5keV～1000keV，注入的剂量为1E15～1E18cm-2，注入的温度为室温；所述退火的温度为200～700℃；

所述键合嵌片为长宽相同的方形晶片，且每个所述键合嵌片的长宽均为1.4英寸，高度大于长宽；

所述初始衬底晶圆直径为150～300mm，厚度为0.1～1mm。