1.一种LED芯片，其特征在于，包括：衬底、在衬底上依次形成的缓冲层、N型层、多量子阱层、P型层和导电层，所述多量子阱层由InxGa1-xN阱层和InaAlbGacN垒层交替层叠形成，所述单个InxGa1-xN阱层的In组分由下侧至上侧逐渐减小，所述单个InaAlbGacN垒层的In组分由下侧至上侧逐渐增加。

2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述InxGa1-xN阱层的In组分由10%～

20%渐变至2%～10%。

3.如权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述InaAlbGacN垒层的In组分由2%～

10%渐变至10%～20%。

4.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述InaAlbGacN垒层的Al组分由下侧至上侧逐渐减少。

5.如权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述InaAlbGacN垒层的Al组分由5%～

15%渐变至0%～10%。

6.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括：形成在多量子阱层和P型层之间的电子阻挡层。

7.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述缓冲层包括：成核层和形成在成核层之上的本征层。

8.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.提供衬底；

S2.在所述衬底之上形成缓冲层；

S3.在所述缓冲层之上形成N型层；

S4.在所述N型层之上形成多量子阱层，所述多量子阱层由InxGa1-xN阱层和InaAlbGacN垒层交替层叠形成，所述单个InxGa1-xN阱层的In组分由下侧至上侧逐渐减小，所述单个InaAlbGacN垒层的In组分由下侧至上侧逐渐增加；

S5.在所述多量子阱层之上形成P型层；

S6.在所述P型层之上形成导电层。

9.如权利要求8所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述InxGa1-xN阱层的In组分由10%～20%渐变至2%～10%。

10.如权利要求9所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述InaAlbGacN垒层的In组分由2%～10%渐变至10%～20%。

11.如权利要求8所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述InaAlbGacN垒层的Al组分由下侧至上侧逐渐减少。

12.如权利要求11所述的LED芯片，其特征在于，所述InaAlbGacN垒层的Al组分由

5%～15%渐变至0%～10%。

13.如权利要求8所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，还包括在多量子阱层和P型层之间形成电子阻挡层。

14.如权利要求8所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，在衬底上形成缓冲层的具体步骤，包括：在衬底上形成成核层；

在成核层上形成本征层。