1.一种高灵敏度的OTFT pH传感器的制作及pH检测，其特征在于它包含一种高灵敏度的OTFT pH传感器的制作。

2.一种高灵敏度的OTFT pH传感器的制作及pH检测，其特征在于它提供一种用高灵敏度的OTFT pH传感器来进行pH检测验证的方法。

3.根据权利1所述的要求，一种高灵敏度的OTFT pH传感器的制作主要包含下列步骤：(1)生长一定厚度的场氧化层；

(2)光刻源、漏区：正性光刻胶；

(3)留胶磷注入(形成源、漏区)；

(4)光刻衬底接触孔：正性光刻胶；

(5)留胶硼注入；

(6)去胶；

(7)光刻有源区(栅区、源孔区、漏孔区)：正性光刻胶；

(8)腐蚀SiO2层：

(9)生长一定厚度的栅氧化层；

(10)光刻接触引线孔区：正性光刻胶；

(11)溅射一定厚度的金属铝；

(12)采用负性光刻胶反刻金属区，去除部分金属栅，所制得的具有开槽栅极的晶体管如图2所示；

(13)对制备的器件按传统的半导体工艺进行封装；

(14)将封装好的TFT的栅极作为工作电极，一根铂丝为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，放进事先配好的电解液中包含电子聚合物单体，盐和磷酸盐缓冲溶液，采用电化学方法在TFT的栅极沉积电子聚合物膜制成OTFT pH传感器。

4.根据权利3中14点所述的要求，其特征在于所使用的电子聚合物单体包括噻吩类，苯胺类、吡咯类等有机物。

5.根据权利3中14点所述的要求，其特征在于它采用电化学方法将封装好的场效应晶体管的栅极作为工作电极，一根铂丝为对电极，一根参比电极来沉积有机的电子聚合物膜。

6.根据权利2所述的要求，其特征在于对这种耗尽型的n-沟道的OTFT器件用半导体特性测试仪进行测量时，需先在测试仪器上设置一个测试模型，把器件的源、漏极分别与仪器的SMU1和SMU2相连，器件的栅极、衬底分别与仪器的SMU3和GNDU(地)相连。

7.根据权利6所述的要求，其特征在于把制备的OTFT器件浸泡在不同pH的缓冲溶液中，然后按照权利要求6所建的模型对溶液pH进行检测，建立不同pH时的阈值电位关系图，就可对其灵敏度进行评估。