1.一种LED外延片的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，并在所述衬底之上形成缓冲层；

在所述缓冲层之上形成第一掺杂类型的半导体材料层；

在所述第一掺杂类型的半导体材料层之上形成量子阱结构；

在所述量子阱结构之上形成电子阻挡层，其中，包括：在所述量子阱结构上形成第一AlxGa1-xN层，在形成第一AlxGa1-xN层过程中，Al的组分x从第一组分值渐变至第二组分值，且所述第二组分值大于所述第一组分值，在所述第一AlxGa1-xN层上形成第二AlxGa1-xN层，在形成第二AlxGa1-xN层过程中，Al的组分x为定值，并且所述Al的组分x等于所述第二组分值，其中，第二AlxGa1-xN层Al的组分x为

0.1-0.25；以及

在所述电子阻挡层之上形成第二掺杂类型的半导体材料层。

2.如权利要求1所述的LED外延片的形成方法，其特征在于，所述Al的组分x的第一组分值为0.05，第二组分值为0.12。

3.如权利要求1所述的LED外延片的形成方法，其特征在于，形成所述量子阱结构的过程是以N2气为载气。

4.如权利要求1所述的LED外延片的形成方法，其特征在于，在形成所述缓冲层之后，还包括：在所述缓冲层之上形成非掺杂的半导体材料层。

5.如权利要求1所述的LED外延片的形成方法，其特征在于，其中，所述电子阻挡层的形成温度为800-900℃，压力为100-200mbar。

6.一种LED外延片，其特征在于，包括：

衬底；

形成在所述衬底之上的缓冲层；

形成在所述缓冲层之上的第一掺杂类型的半导体材料层；

形成在所述第一掺杂类型的半导体材料层之上的量子阱结构；

形成在所述量子阱结构之上的电子阻挡层；以及

形成在所述电子阻挡层之上的第二掺杂类型的半导体材料层，其中，所述电子阻挡层包括第一AlxGa1-xN层和第二AlxGa1-xN层，所述第一AlxGa1-xN层中Al的组分x从第一组分值渐变至第二组分值，所述第一AlxGa1-xN层中与所述量子阱结构接触的部分x为第一组分值，所述第一AlxGa1-xN层中与第二AlxGa1-xN层接触的部分x为第二组分值，且所述第二组分值大于所述第一组分值，所述第二AlxGa1-xN层中Al的组分x为定值，并且所述Al的组分x等于所述第二组分值，其中，第二AlxGa1-xN层Al的组分x为0.1-0.25。

7.如权利要求6所述的LED外延片，其特征在于，所述Al的组分x的第一组分值为0.05，第二组分值为0.12。

8.如权利要求6所述的LED外延片，其特征在于，形成所述量子阱结构是以N2气为载气形成的。

9.如权利要求6所述的LED外延片，其特征在于，在形成所述缓冲层之后，还包括：在所述缓冲层之上形成非掺杂的半导体材料层。

10.如权利要求6所述的LED外延片，其特征在于，其中，所述电子阻挡层的形成温度为

800-900℃，压力为100-200mbar。