1.一种CdHgTe量子点溶液的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

将碲溶解于有机膦中得到碲前体，其中，所述有机膦选自三辛基膦及三丁基膦中的至少一种，所述碲与所述有机膦的质量比为（0.0128~0.128）:（0.1~1）；

将醋酸汞加入到含有氢氧化钾和十二硫醇的甲醇中反应20分钟~40分钟得到沉淀，将所述沉淀干燥洗涤后溶于氯仿中得到汞前体，其中，所述醋酸汞与所述十二硫醇的摩尔比为（1~5）:（3~15）；

在氮气的保护下，将氧化镉、油胺、十四烷基磷酸及十八烯混合后加热至

280℃~310℃，加入碲前体，降温至240℃~260℃反应15s~600s得到反应液，其中，所述氧化镉、所述油胺和所述十四烷基磷酸的质量比为(0.0257~0.257)：（1~10）：(0.122~1.22)，所述氧化镉与十八烯的固液比为（0.0257g~0.257g）：（8ml~40ml），所述碲前体中的碲与所述氧化镉的质量比为（0.01276~0.1276）：(0.0257~0.257)；及将所述反应液与丙酮混合后离心分离，将离心得到的沉淀物溶于氯仿中，加入汞前体反应两小时，加入正己烷和甲醇的混合液，离心后得到的上层溶液即为CdHgTe量子点溶液。

2.根据权利要求1所述的CdHgTe量子点溶液的制备方法，其特征在于，通过在

80℃~100℃下超声使所述碲溶解于所述有机膦。

3.根据权利要求1所述的CdHgTe量子点溶液的制备方法，其特征在于，所述含有氢氧化钾和十二硫醇的甲醇中，所述氢氧化钾与所述十二硫醇的质量比为1:2~1:3，所述十二硫醇的浓度为0.1g/mL~0.2g/mL。

4.根据权利要求1所述的CdHgTe量子点溶液的制备方法，其特征在于，将所述反应液与丙酮混合后离心分离的步骤中，离心分离的转速为4000转/分~10000转/分，离心分离的时间为5分钟~10分钟。

5.根据权利要求1所述的CdHgTe量子点溶液的制备方法，其特征在于，所述正己烷和甲醇的混合液中所述正己烷与所述甲醇的体积比为1:1~1:2。

6.一种CdHgTe量子点的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

采用权利要求1~5任一项所述的CdHgTe量子点溶液的制备方法制备CdHgTe量子点溶液；及在所述量子点溶液中加入过量甲醇，然后离心分离，离心分离的转速为4000转/分~10000转/分，离心分离的时间为5分钟~10分钟，得到CdHgTe量子点。

7.一种双模态半导体纳米材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

采用权利要求1~5任一项所述的CdHgTe量子点溶液的制备方法制备CdHgTe量子点溶液；

将质量比为(0.07~0.7)：(0.8~8)：(0.8~8)的二乙基二硫代氨基甲酸锌、十八烯和有机膦混合后超声溶解得到二乙基二硫代氨基甲酸锌溶液，所述有机膦选自三辛基膦及三丁基膦中的至少一种；

将三辛基氧磷、油胺和十八烯加入所述CdHgTe量子点溶液，在30℃~80℃下抽真空

30~60分钟，升温至80℃~130℃，加入所述二乙基二硫代氨基甲酸锌溶液，反应10分钟~60分钟后升温至150℃~180℃反应0.5小时~4小时，冷却至室温后加入乙醇沉析，离心分离后得到CdHgTe@ZnS量子点，其中@表示包覆；

将质量比为(20~200)：（6~60）的硫辛酸及聚乙二醇修饰的硫辛酸加入超纯水中，加入硼氢化钠反应1~2小时，用氢氧化钠调节pH值为9~11得到硫辛酸溶液，其中所述硫辛酸与所述硼氢化钠的质量比为(20~200)：（30~300）；

将所述CdHgTe@ZnS量子点加入氯仿中溶解，加入硫辛酸溶液，震荡后离心，取上层清液，超滤后将滤渣使用中性缓冲液溶解，加入含有钆离子的溶液，超滤后去除滤液得到双模态半导体纳米材料。

8.根据权利要求7所述的双模态半导体纳米材料的制备方法，其特征在于，所述含有钆离子的溶液中钆离子的浓度为0.1~5mg/mL。

9.根据权利要求7所述的双模态半导体纳米材料的制备方法，其特征在于，所述CdHgTe@ZnS量子点与所述氯仿的固液比为（10mg~100mg）：（0.5ml~5ml）。

10.一种双模态半导体纳米材料，其特征在于，由权利要求7~9任一项所述的双模态半导体纳米材料的制备方法制备。