1.一种改善扩散区域形貌的功率器件，其特征在于，包括：衬底及其上形成的外延层，所述外延层的掺杂类型与所述衬底的掺杂类型相同；

在所述外延层内形成有埋层，所述埋层的上表面与外延层的上表面位于同一平面，所述埋层的掺杂类型与所述外延层的掺杂类型相反；

在所述埋层内形成有源区，所述源区的上表面与所述外延层的上表面位于同一平面，所述源区的掺杂类型与所述外延层的掺杂类型相同；

在所述外延层内形成有预扩散区，所述预扩散区与所述埋层连接，且所述预扩散区的上表面与所述外延层的上表面位于同一平面，所述预扩散区的掺杂类型与所述埋层的掺杂类型相同；

在所述外延层的上表面上形成有栅介质层和栅极，所述栅介质层和栅极覆盖在埋层及所述源区的一部分之上；

在所述栅极和外延层之上形成有介质层和正面金属层；

在所述衬底之下形成有背面扩散区；以及

在所述背面扩散区之下形成有背面金属层。

2.如权利要求1所述的改善扩散区域形貌的功率器件，其特征在于，所述埋层内包括有与所述源区相连的导电沟道区和注入扩散区，所述导电沟道区位于源区与所述预扩散区之间且导电沟道区的上表面与所述外延层的上表面位于同一平面，所述注入扩散区位于源区的下方，所述导电沟道区与所述注入扩散区的掺杂类型与所述埋层的掺杂类型相同。

3.如权利要求2所述的改善扩散区域形貌的功率器件，其特征在于，所述导电沟道区与所述预扩散区相连。

4.如权利要求2所述的改善扩散区域形貌的功率器件，其特征在于，所述导电沟道区的深度小于所述注入扩散区和源区的深度之和。

5.如权利要求2所述的改善扩散区域形貌的功率器件，其特征在于，所述导电沟道区为轻掺杂，所述注入扩散区为重掺杂。

6.如权利要求1-5任意一项所述的改善扩散区域形貌的功率器件，其特征在于，所述预扩散区沿外延层深度方向的宽度逐渐变小。

7.如权利要求6所述的改善扩散区域形貌的功率器件，其特征在于，所述预扩散区沿外延层深度的剖面为锲形。

8.如权利要求6所述的改善扩散区域形貌的功率器件，其特征在于，所述预扩散区的深度为0-5000A，所述预扩散区的浓度为E10-E13。

9.如权利要求1所述的改善扩散区域形貌的功率器件，其特征在于，所述介质层包括二氧化硅层和硼磷硅玻璃层。

10.一种改善扩散区域形貌的功率器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：提供衬底并在所述衬底上形成外延层，所述外延层的掺杂类型与所述衬底的掺杂类型相同；

S2：在所述外延层之上形成栅介质层和栅极；

S3：所述外延层内形成预扩散区和埋层，所述埋层的掺杂类型与所述外延层的掺杂类型相反，所述预扩散区的掺杂类型与所述埋层的掺杂类型相同，其中，所述预扩散区位于所述外延层和所述埋层之间且位于栅介质层之下，所述预扩散区的上表面与所述外延层的上表面位于同一平面，所述埋层的上表面与外延层的上表面位于同一平面；

S4：在所述埋层内形成有源区，所述源区的掺杂类型与所述外延层的掺杂类型相同，其中，所述源区的上表面与所述外延层的上表面位于同一平面；

S5：在所述栅极和源区之上形成介质层，并在所述介质层之上形成正面金属层，所述正面金属层通过所述接触孔与所述源区相连；

S6：在所述衬底之下形成背面扩散区，所述背面扩散区为重掺杂；

S7：在所述背面扩散区之下形成有背面金属层。

11.如权利要求10所述的改善扩散区域形貌的功率器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S3具体包括以下步骤：S31：在栅介质层之下的外延层内形成预扩散区；

S51：在外延层内形成埋层。

12.如权利要求10所述的改善扩散区域形貌的功率器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S3具体包括以下步骤：S51：在外延层内形成埋层；

S31：在栅介质层之下的外延层内形成预扩散区。

13.如权利要求11或12所述的改善扩散区域形貌的功率器件的制造方法，其特征在于，当所述埋层包括导电沟道区和注入扩散区时，所述步骤S51具体包括以下步骤：在所述外延层内形成埋层的区域全部进行轻掺杂；

在所述埋层的注入扩散区进行重掺杂。