1.一种晶圆制造方法，该方法包括：

a)选用SOI材料作为衬底，其中，所述SOI材料包括用于制造半导体器件的器件层、用于支撑所述衬底的支撑层以及位于所述器件层和所述支撑层之间的绝缘层，并且所述器件层的厚度为晶圆制造完成后的目标厚度；

b)在所述器件层上制造半导体器件；

c)去除所述支撑层；

d)采用刻蚀工艺去除所述绝缘层。

2.根据权利要求1所述的晶圆制造方法，其中，步骤c)中所述去除所述支撑层包括：对所述支撑层进行磨削；

采用刻蚀工艺去除残余的支撑层。

3.根据权利要求2所述的晶圆制造方法，其中，所述对所述支撑层进行磨削包括：用砂轮对所述支撑层进行磨削，然后用细目砂轮对所述支撑层进行精细研磨，并在所述支撑层的剩余厚度为1至20μm时停止。

4.根据权利要求1所述的晶圆制造方法，其中，步骤c)中所述去除所述支撑层包括：对所述支撑层进行机械磨削；

采用干式抛光和/或化学机械抛光去除残余的支撑层。

5.根据权利要求1或2或4所述的晶圆制造方法，其中，所述刻蚀工艺为湿法刻蚀工艺。

6.根据权利要求1所述的晶圆制造方法，其中，在步骤c)之前还包括在所述半导体器件制造完成之后，在所述器件层的表面贴上保护膜；以及在步骤d)之后还包括去除所述保护膜。