1.一种半导体芯片的共晶方法，其特征在于，包括：以基板的一面为承载面形成第一共晶层和以半导体芯片的一面为承载面形成第二共晶层，所述第一共晶层或者第二共晶层为形成有孔结构的共晶层；对第一共晶层和第二共晶层进行共晶连接；该形成有孔结构的共晶层的方法如下：在所述基板承载面或半导体芯片承载面上形成粘结层，在粘结层上形成有孔结构的层叠结构，以所述有孔结构的层叠结构的部分侧壁为起点往所述有孔结构的共晶层里面延伸，去除部分层叠结构材料，形成中空结构；所述层叠结构是由低熔点金属和能与该低熔点金属共晶的缓冲层金属交替形成。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片的共晶方法，其特征在于，所述有孔结构的共晶层的形成方法进一步如下：在粘结层上形成缓冲层；在部分缓冲层上涂覆光刻胶；在剩余的缓冲层上形成层叠体，所述层叠体由至少包括第一金属层和第二金属或合金层交替层叠而成；剥离光刻胶，形成有孔结构的共晶层；将腐蚀液放入所述孔结构中腐蚀部分层叠结构，形成中空结构。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片的共晶方法，其特征在于，所述有孔结构的共晶层的形成方法进一步如下：在粘结层上形成缓冲层；在所述缓冲层之上形成由至少包括第一金属层和第二金属或合金层交替层叠的层叠体；在所述层叠体上形成保护层；在保护层上做光刻，腐蚀保护层形成保护层窗口；利用腐蚀液腐蚀孔结构的层叠体，去除保护膜，形成中空有孔结构的共晶层。

4.根据权利要求2或者3所述的半导体芯片的共晶方法，其特征在于，第一金属层的材料包括Sn、Bi、Cd、Pb或Se，第二金属或合金层的材料包括Au、Ag、Cu中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的半导体芯片的共晶方法，其特征在于，与有孔结构的共晶层进行共晶的另一共晶层的材料包括Sn、Bi、Cd、Pb或Se。

6.根据权利要求2或3所述的半导体芯片的共晶方法，其特征在于，所述缓冲层的材料包括Au、Ag、Cu中的至少一种。

7.根据权利要求2或3所述的半导体芯片的共晶方法，其特征在于，所述粘结层的材料包括Si、Ti、Cr中的至少一种。

8.根据权利要求1-3任一项所述的半导体芯片的共晶方法，其特征在于，所述共晶连接的方法如下：将第一共晶层和第二共晶层进行压合，其压合压力10g-500g，压合温度

250℃-500℃，压合时间0.5秒-100秒。

9.一种半导体芯片的共晶结构，包括半导体芯片、基板，以及位于半导体芯片和基板之间的共晶连接层，其特征在于，所述共晶连接层由第一连接层和有孔结构的第二连接层共晶结合而成；所述第二连接层包括在半导体芯片或者基板上形成的粘结层，在粘结层上形成的缓冲层，在缓冲层上形成的有孔结构的层叠结构，以所述有孔结构的层叠结构的部分侧壁为起点往所述有孔结构的共晶层里面延伸，去除部分层叠结构材料，形成中空结构；所述层叠结构是由低熔点金属和能与该低熔点金属共晶的缓冲层金属交替形成。

10.根据权利要求9所述的半导体芯片的共晶结构，其特征在于，所述半导体芯片是发光二极管芯片。