1.一种将硅麦克风器件和集成电路单片集成的方法，其特征在于包括步骤：A：提供一硅片，其具有用于制作硅麦克风器件的第一表面，以及用于制作集成电路的第二表面；所述第一表面和第二表面相对；

B：在所述第一表面上热生长氧化层；在所述氧化层上形成第一多晶硅层；在所述第一多晶硅层上形成牺牲层，在所述牺牲层上形成第二多晶硅层；

C：在所述第二表面按照标准半导体工艺流程生成集成电路；

D：于所述第二多晶硅层上光刻形成一声孔区域图形以及第一焊盘区域图形；根据所述声孔区域图形和第一焊盘区域图形对第二多晶硅层进行刻蚀，直至露出所述牺牲层，以形成一声孔区域，所述声孔区域包括贯穿第二多晶硅层的声孔；对第一焊盘区域图形限定的牺牲层区域进一步刻蚀，直至露出第一多晶硅层；

E：在第一焊盘区域图形限定的第一多晶硅层上形成第一导电电极，在第二多晶硅层上形成第二导电电极；以及在集成电路上形成集成电路导电电极；

F：在所述第二表面上，对应于所述声孔区域光刻形成一背腔图形，根据所述背腔图形对所述第二表面和氧化层进行刻蚀，直至露出所述第一多晶硅层，以形成背腔；

G：对牺牲层位于所述声孔区域和第一多晶硅层之间的部分进行刻蚀，以形成声孔区域和第一多晶硅之间与所述声孔连通的空气隙；

其中步骤F和步骤G的顺序可以互换。

2.根据权利要求1所述的一种将硅麦克风器件和集成电路单片集成的方法，其特征在于：在步骤B和C之间包括在所述第二多晶硅层上形成钝化层的步骤；以及在步骤C和D之间包括将所述钝化层剥离的步骤。

3.根据权利要求2所述的一种将硅麦克风器件和集成电路单片集成的方法，其特征在于：所述钝化层的材料可以是氮化硅或磷硅玻璃或氧化硅。

4.根据权利要求1所述的一种将硅麦克风器件和集成电路单片集成的方法，其特征在于：所述牺牲层的材料可以是磷硅玻璃或氧化硅。

5.根据权利要求1所述的一种将硅麦克风器件和集成电路单片集成的方法，其特征在于：所述第一导电电极、第二导电电极、集成电路导电电极均可以由物理气相淀积或化学镀或者电镀的方法形成。

6.根据权利要求1所述的一种将硅麦克风器件和集成电路单片集成的方法，其特征在于：步骤F中形成背腔的具体步骤为：根据所述背腔图形采用各向异性腐蚀液湿法刻蚀或者干法刻蚀对第二表面进行刻蚀，直至氧化层，然后刻蚀掉对应声孔区域的部分氧化层，直至露出所述第一多晶硅层。

7.一种将硅麦克风器件和集成电路单片集成的芯片，其特征在于：包括：一硅片，所述硅片具有用于制作硅麦克风器件的第一表面，以及用于制作集成电路的第二表面；所述第一表面和第二表面相对；

在所述第一表面上的氧化层；

在所述氧化层上的第一多晶硅层，作为硅麦克风器件的可动极板；

在所述第一多晶硅层上的牺牲层，在所述牺牲层上的第二多晶硅层，作为硅麦克风器件的固定极板；

在所述第二表面上的集成电路；

其中，所述第二多晶硅层上具有声孔区域，所述声孔区域具有至少一贯穿所述第二多晶硅层的声孔；所述声孔区域和第二多晶硅层之间具有一与所述声孔连通的空气隙；所述第一多晶硅层具有第一电极，所述第二多晶硅层具有第二电极；所述集成电路具有集成电路导电电极；

以及，与所述声孔区域相对应，贯穿所述氧化层和所述硅片的背腔。

8.根据权利要求7所述的一种将硅麦克风器件和集成电路单片集成的芯片，其特征在于：所述牺牲层的材料可以是磷硅玻璃或氧化硅。